محاكاة خصائص الوصلة pn في السيليكون باستخدام نموذج انجراف - انتشار في بعد واحد

صفحة المادة البسيطة
dc.contributor.authorروزانا ثابت نوري الياس القس الياس
dc.contributor.authorباشراف الاستاذ المساعد الدكتور ممتاز محمد صالح حسين
dc.date.accessioned2026-01-13T06:47:02Z
dc.date.issued2020
dc.descriptionرسالة مقدمة الى مجلس كلية التربية للعلوم الصرفة في جامعة الموصل لنيل شهادة الماجستير في الفيزياء
dc.identifier.urihttps://drcentrallibrary.uomosul.edu.iq/handle/123456789/2249
dc.language.isoAR
dc.relation.ispartofseries1862th
dc.subjectنموذج انجراف-انتشارفي البعد الواحد، الحل العددي لمعادلة بواسون ومعادلة الاستمرارية ، خصائص الوصلة 𝑝𝑛
dc.titleمحاكاة خصائص الوصلة pn في السيليكون باستخدام نموذج انجراف - انتشار في بعد واحد
dc.title.alternativeSimulation Properties of the pn Junction in Silicon Using Drift-Diffusion Model in One Dimension
dc.typeThesis

ملفات

الحزمة الرئيسية

يظهر الآن 1 - 2 من 2
صورة مصغرة
الاسم:
مستخلص.pdf
الحجم:
704.2 KB
تنسيق:
Adobe Portable Document Format
تنزيل
صورة مصغرة
الاسم:
ملف كامل .pdf
الحجم:
21.33 MB
تنسيق:
Adobe Portable Document Format
تنزيل

حزمة الترخيص

يظهر الآن 1 - 1 من 1
صورة مصغرة
الاسم:
license.txt
الحجم:
1.71 KB
تنسيق:
Item-specific license agreed to upon submission
الوصف:
تنزيل

المجموعات

الرسائل والاطاريح الجامعية